SI2319DS-T1-GE3, 40V 2.3A 82mOhm@3A,10V 750mW P Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026380609
- Артикул
- SI2319DS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.04
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- SI2
- Высота
- 1.45 mm
Цена по запросу
(от 63,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | SI2 |
| Высота | 1.45 mm |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Структура | P-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 25 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 750mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@10V |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 470pF@20V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.3A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 11.3 nC |
| Время нарастания | 15 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 750 mW |
| Другие названия товара № | SI2319DS-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 82 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 82mΩ@3A, 10V |