SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А 2.5Вт [SOT-23-3 / TO-236]
![SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А 2.5Вт [SOT-23-3 / TO-236]](https://static.epl-electro.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000982601
- Артикул
- SI2319CDS-T1-GE3-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT-23-3
- Структура
- P-Channel
- Особенности
- TrenchFET
Цена по запросу
(от 25,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.054 Ом/3.6А, 4.5В |