Моя заявка (0)

SI2319CDS-T1-GE3,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Surface Mount

SI2319CDS-T1-GE3,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8703928755
Артикул
SI2319CDS-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
PPAP
No
Width
1.4mm
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 151 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ХАРАКТЕРИСТИКИ • Не содержит галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21 • Силовой МОП-транзистор TrenchFET® • 100 % Rg протестирован

Технические параметры

PPAPNo
Width1.4mm
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.181
PCB changed3
Part StatusNRND
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
RoHS CompliantYes
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-23
Process TechnologyTrenchFET
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSi
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)8|10
Typical Rise Time (ns)27|9
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2.5 W
Typical Gate Charge @ Vgs13.6 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Power Dissipation (mW)1250
Minimum Gate Threshold Voltage1.2V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)13.6
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)13.6@10V|7@4.5V
Maximum Drain Source Resistance108 mΩ
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)40|8
Maximum Continuous Drain Current4.4 A
Maximum Drain Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)18|20
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)3.1
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)595@20V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)77@10V
Крутизна характеристики, S18
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.064 Ом

Техническая документация