SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 4,5А, 1,3Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074827224
- Артикул
- SI2318CDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 5.8 nC
- V(DS)
- 40 V
- Width
- 1.4mm
- P(tot)
- 2.1 W
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 40V 4.3A с 3-контактным разъемом SOT-23 T/R - поставляется на магнитной ленте, но без намотки (артикул: 47Y1307)
Технические параметры
| Q(g) | 5.8 nC |
| V(DS) | 40 V |
| Width | 1.4mm |
| P(tot) | 2.1 W |
| Package | SOT-23 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 0.03 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 42 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 5.6 A |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W;2.1W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V 250uA |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 340pF@20V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.6A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 51 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.25W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 42mΩ 4.3A, 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 5.6A |