Моя заявка (0)

SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор полевой SMD (N-канал 40В 5,6A SOT23)

SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор полевой SMD (N-канал 40В 5,6A SOT23)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025663000
Артикул
SI2318CDS-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Q(g)
5.8 nC
V(DS)
40 V
Width
1.4mm
P(tot)
2.1 W
Цена по запросу
(от 16 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 4,5А, 1,3Вт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Q(g)5.8 nC
V(DS)40 V
Width1.4mm
P(tot)2.1 W
PackageSOT-23
MountingSMD
PackagingREEL
Pin Count3
AutomotiveNO
TechnologyTrenchFET
Вес, г0.05
Logic levelYES
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V42 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C5.6 A
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel
Power Dissipation (Pd)1.25W;2.1W
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2.1 W
Typical Gate Charge @ Vgs5.8 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage2.5V 250uA
Total Gate Charge (Qg@Vgs)9nC@10V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)340pF@20V
Maximum Drain Source Voltage40 V
Continuous Drain Current (Id)5.6A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1.2V
Maximum Drain Source Resistance51 mΩ
Maximum Continuous Drain Current5.6 A
Power Dissipation-Max (Ta=25°C)1.25W
Rds On - Drain-Source Resistance42mΩ 4.3A, 10V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage40V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C5.6A
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)42mΩ@10V, 4.3A

Техническая документация