SI2318CDS-T1-BE3, MOSFETs SOT23 N-CH 40V 4.3A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025456286
- Артикул
- SI2318CDS-T1-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Fall Time
- 8 ns
- Packaging
- Reel
- Rise Time
- 20 ns
- Technology
- Si
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Fall Time | 8 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 20 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.05 |
| Subcategory | Transistors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Vishay |
| Product Type | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | SI2318CDS-T1-GE3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge | 2.9 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation | 2.1 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 42 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |