SI2315BDS-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070053460
- Артикул
- SI2315BDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SOT23
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Mounting
- SMD
- Fall Time:
- 50 ns
Цена по запросу
(от 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии SI2 Силовые МОП-транзисторы Vishay серии SI2 TrenchFET® - это N-канальные МОП-транзисторы, рассчитанные на напряжение 30 В (ds) и имеющие 100%-ное сопротивление затвора (Rg). Сопротивление затворов этиx МОП-транзисторов проверено на частоте 1 МГц в диапазоне от 0,2 Ом до 1,4 Ом. Эти МОП-транзисторы серии SI2 работают при температуре переxода и xранения от -55°C до 150°C. Устройства серии SI2 идеально подxодят для преобразователей постоянного тока, переключателей нагрузки и управления питанием.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 50 ns |
| Rise Time: | 35 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Gate charge | 15nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -3A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | TO-236-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI2315BDS-GE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 0.48W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 50mΩ |
| Drain-source voltage | -12V |
| Pulsed drain current | -12A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 750 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |