Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026380654
Артикул
SI2312DS-T1-GE3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.05
Корпус
SOT23-3
Структура
MOSFET
Особенности
-
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.05
КорпусSOT23-3
СтруктураMOSFET
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе-0.4…-1 В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В