SI2312CDS-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 5,1А, 1,3Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070144977
- Артикул
- SI2312CDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SOT23
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.04
- Gate charge
- 8.8nC
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Изделие SI2312CDS-T1-GE3 — изделие серии SI231. Характеристики Обозначение: SI2312CDS-T1-GE3 Производитель: VISHAY Единица измерения: шт
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.04 |
| Gate charge | 8.8nC |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 5.1A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 1.3W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 41.4mΩ |
| Drain-source voltage | 20V |