SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017565998
- Артикул
- SI2312BDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.04
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- SI2
- Высота
- 1.45 mm
Цена по запросу
(от 72,55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | SI2 |
| Высота | 1.45 mm |
| Корпус | SOT23-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 850mV @ 250uA |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7.5 nC |
| Время нарастания | 30 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 31mО© @ 5A,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 750mW |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.9A |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 0.75 W |
| Другие названия товара № | SI2312BDS-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.9 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Крутизна характеристики, S | 30 S |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.9 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.48 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |