Моя заявка (0)

SI2312-TP, 20V 5A 41m @1.8V,4.3A 1.25W 700mV 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

SI2312-TP, 20V 5A 41m @1.8V,4.3A 1.25W 700mV 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048306910
Артикул
SI2312-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
Brand:
Micro Commercial Components(MCC)
Series:
TrenchFET
Fall Time:
12 ns
Rise Time:
20 ns
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы с теxнологией Split Gate МОП-транзисторы с теxнологией MCC Split Gate поддерживают чрезвычайно низкое значение RD (ВКЛ.), что обеспечивает более высокую плотность тока в корпусаx меньшего размера. Эти МОП-транзисторы поддерживают повышенное значение BV dss, более высокое содержание N-легирования и уменьшенную добротность, что уменьшает зарядовую связь. Эти МОП-транзисторы SGT имеют улучшенный коэффициент полезного действия (FOM), что снижает потери при переключении и проводимости. Типичные области применения включают в себя экономию места и требования к высокой эффективности.

Технические параметры

Brand:Micro Commercial Components(MCC)
Series:TrenchFET
Fall Time:12 ns
Rise Time:20 ns
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Micro Commercial Components(MCC)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:350 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Id - Continuous Drain Current:5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:6 S
Rds On - Drain-Source Resistance:31.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:450 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация