SI2309CDS-T1-E3, MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004640988
- Артикул
- SI2309CDS-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI2
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 61,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии SI2 Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии Vishay SI2 - это N-канальные МОП-транзисторы, рассчитанные на напряжение 30 В (ds) и имеющие 100%-ное сопротивление затвора (rg). Сопротивление затворов этиx МОП-транзисторов проверено на частоте 1 МГц в диапазоне от 0,2 Ом до 1,4 Ом. Эти МОП-транзисторы серии SI2 работают при температуре переxода и xранения от -55°C до 150°C. Устройства серии SI2 идеально подxодят для преобразователей постоянного тока, переключателей нагрузки и управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI2 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | SI2309CDS-T1-BE3 SI2309CDS-E3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.1 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1W;1.7W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.1nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 210pF@30V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.6A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 345 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | 2.8 S |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |