SI2308CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017565997
- Артикул
- SI2308CDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SOT23
- Brand
- Vishay/Siliconix
- Series
- Si2308CDS
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 153,37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Изделие SI2308CDS-T1-GE3 — изделие серии SI230. Характеристики Обозначение: SI2308CDS-T1-GE3 Производитель: VISHAY Единица измерения: шт
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Brand | Vishay/Siliconix |
| Series | Si2308CDS |
| Mounting | SMD |
| Fall Time | 16 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 25 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 2 |
| Gate charge | 4nC |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Vishay |
| Polarisation | unipolar |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | Single |
| Drain current | 2.6A |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | reel, tape |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 2 nC |
| Power dissipation | 1W |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 144mΩ |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 6A |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 23 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 2.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 3.2 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 200 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |