Моя заявка (0)
SI2308CDS-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002409169
Артикул
SI2308CDS-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
SOT23
Brand
Vishay/Siliconix
Series
Si2308CDS
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Изделие SI2308CDS-T1-GE3 — изделие серии SI230. Характеристики Обозначение: SI2308CDS-T1-GE3 Производитель: VISHAY Единица измерения: шт

Технические параметры

CaseSOT23
BrandVishay/Siliconix
SeriesSi2308CDS
MountingSMD
Fall Time16 ns
PackagingCut Tape or Reel
Rise Time25 ns
TechnologySi
Вес, г1
Gate charge4nC
SubcategoryMOSFETs
Channel ModeEnhancement
ManufacturerVishay
Polarisationunipolar
Product TypeMOSFET
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Drain current2.6A
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Kind of channelenhancement
Kind of packagereel, tape
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge2 nC
Power dissipation1W
Number Of Channels1 Channel
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance144mΩ
Transistor PolarityN-Channel
Drain-source voltage60V
Pulsed drain current6A
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation1.6 W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time23 ns
Typical Turn-Off Delay Time10 ns
Id - Continuous Drain Current2.6 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min3.2 S
Rds On - Drain-Source Resistance200 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage3 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация