SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А 1.66Вт [SOT-23-3.]
![SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А 1.66Вт [SOT-23-3.]](https://static.epl-electro.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000982600
- Артикул
- SI2308BDS-T1-GE3-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT-23-3
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- низкопотребляющая портативная электроника
Цена по запросу
(от 18,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-КАНАЛЬНЫЙ MOSFET, 60 В, 2,3 А, TO-236, ПОЛНАЯ КАТУШКА, Полярность транзистора:N-канальный, Постоянный ток стока Id: 2,3 А, Напряжение источника стока Vds: 60 В, Сопротивление Rds(включено): 0,13 Ом, Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs: 20 В, Пороговое напряжение Vgs: 3 В, соответствует RoHS: Да
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | низкопотребляющая портативная электроника |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.66 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.086 Ом/1.7А, 4.5В |