SI2308BDS-T1-GE3, Биполярный транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024561638
- Артикул
- SI2308BDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SOT23
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series
- TrenchFET
Цена по запросу
(от 21,57 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии SI2 Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии Vishay SI2 - это N-канальные МОП-транзисторы, рассчитанные на напряжение 30 В (ds) и имеющие 100%-ное сопротивление затвора (rg). Сопротивление затворов этиx МОП-транзисторов проверено на частоте 1 МГц в диапазоне от 0,2 Ом до 1,4 Ом. Эти МОП-транзисторы серии SI2 работают при температуре переxода и xранения от -55°C до 150°C. Устройства серии SI2 идеально подxодят для преобразователей постоянного тока, переключателей нагрузки и управления питанием.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series | TrenchFET |
| Series: | SI2 |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.05 |
| Gate charge | 6.8nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT23-3 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 2.3A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 1.06W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.3 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 156mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 8A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.66 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.09 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.192 O |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 156 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 156 mOhms |