SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET 30В 3.5А 1.1Вт [SOT-23-3.]
![SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET 30В 3.5А 1.1Вт [SOT-23-3.]](https://static.epl-electro.ru/lib/728/DOC017728631.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000766869
- Артикул
- SI2307CDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.14
- Корпус
- SOT-23-3
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- низкопотребляющая портативная электроника
Цена по запросу
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-КАНАЛЬНЫЙ MOSFET, -30 В, ОТ 2,7 А ДО-236, ПОЛНАЯ КАТУШКА, Полярность транзистора: P-канал, Постоянный ток стока Id: -2,7 А, Напряжение источника стока Vds: -30 В, Сопротивление Rds(включено): 138 Мом, Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs: 20 В, Пороговое напряжение Vgs:-3 В, соответствует требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | низкопотребляющая портативная электроника |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |