SI2307CDS-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.5 A, 0.073 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8659890500
- Артикул
- SI2307CDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 4.1 nC
- V(DS)
- 30 V
- P(tot)
- 1.8 W
- RDS-on
- 88@10V mOhm
Цена по запросу
(от 91 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор маломощный SOT23-3
Технические параметры
| Q(g) | 4.1 nC |
| V(DS) | 30 V |
| P(tot) | 1.8 W |
| RDS-on | 88@10V mOhm |
| Series | TrenchFET |
| Package | SOT-23 |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 0.14 |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | P-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 88 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 3.5 A |
| Typical Fall Time | 17 ns |
| Typical Rise Time | 40 ns |
| Структура | P-Channel |
| Max Processing Temp | 260 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Особенности | - |
| Typical Turn-On Delay Time | 40 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.138 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.073 Ом |