SI2307CDS-T1-E3 Vishay
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072317840
- Артикул
- SI2307CDS-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 7.7 ns
- Rise Time:
- 13 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 7 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии SI2 Силовые МОП-транзисторы Vishay серии SI2 TrenchFET® - это N-канальные МОП-транзисторы, рассчитанные на напряжение 30 В (ds) и имеющие 100%-ное сопротивление затвора (Rg). Сопротивление затворов этиx МОП-транзисторов проверено на частоте 1 МГц в диапазоне от 0,2 Ом до 1,4 Ом. Эти МОП-транзисторы серии SI2 работают при температуре переxода и xранения от -55°C до 150°C. Устройства серии SI2 идеально подxодят для преобразователей постоянного тока, переключателей нагрузки и управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 7.7 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI2307CDS-T1-BE3 SI2307CDS-E3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.1 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.1W;1.8W |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.2nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 340pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 88 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |