SI2307-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -12А; 1,1Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038710965
- Артикул
- SI2307-TP
- Бренд
- Micro Commercial Components Corp. (MCC)
- Case
- SOT23
- Brand:
- Micro Commercial Components(MCC)
- Mounting
- SMD
- Fall Time:
- 17 ns
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы MCC с теxнологией Split Gate поддерживают чрезвычайно низкий RDS (ON), что позволяет увеличить плотность тока в корпусаx меньшего размера. Эти МОП-транзисторы поддерживают повышенную BVdss, более высокое содержание N-легирования и пониженную Qgd, что уменьшает зарядовую связь. Эти МОП-транзисторы SGT обладают улучшенным коэффициентом полезного действия (FOM), что снижает потери при переключении и проводимости. Типичные области применения включают в себя приложения, требующие экономии места и высокой эффективности.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Brand: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 17 ns |
| Rise Time: | 40 ns |
| Technology | Trench |
| Вес, г | 0.01 |
| Gate charge | 4.1nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -2.7A |
| Manufacturer: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 1.1W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.2 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 138mΩ |
| Drain-source voltage | -30V |
| Pulsed drain current | -12A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 73 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.1 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |