SI2306BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 3,5А, 0,8Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018754119
- Артикул
- SI2306BDS-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- Вид
- MOSFET
- Тип
- полевой
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 38,24 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 3,5А, 0,8Вт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| PPAP | No |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 6 |
| Typical Rise Time (ns) | 12 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 3@5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.16 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 305@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 47@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |