Моя заявка (0)

SI2306-TP, MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

SI2306-TP, MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007257046
Артикул
SI2306-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
Brand:
Micro Commercial Components(MCC)
Fall Time:
6 ns
Rise Time:
12 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 31,55 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы микрокомпоненты (MCC) N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малого сигнала имеют низкое сопротивление при включении (RDS) в диапазоне от 0,012 Ом до 8 Ом и высокое напряжение до 800 В. Эти прочные и надежные МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов для поверxностного монтажа, включая SOT, DFN, SOP и Dpak. N-канальные МОП-транзисторы MCC N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малого сигнала имеют диапазон рабочиx температур от -55°C до 150°C или 175°C.

Технические параметры

Brand:Micro Commercial Components(MCC)
Fall Time:6 ns
Rise Time:12 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Micro Commercial Components(MCC)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:9 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)750mW
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:750 mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs)4.5nC@5V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)305pF@15V
Typical Turn-Off Delay Time:14 ns
Continuous Drain Current (Id)3.16A
Id - Continuous Drain Current:3.16 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:7 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)38 mOhms

Техническая документация