Транзистор полевой SI2305CDS-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055404913
- Артикул
- SI2305CDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- V(DS)
- 8 V
- Width
- 1.4mm
- P(tot)
- 1.25 W
- Package
- SOT-23
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 14 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт
Технические параметры
| V(DS) | 8 V |
| Width | 1.4mm |
| P(tot) | 1.25 W |
| Package | SOT-23 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Configuration | P-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 52 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 3.5 A |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V, 20 nC @ 8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 35 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |