Моя заявка (0)

SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23

SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017548350
Артикул
SI2305B-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
Case
SOT23
Type
1PCSPChannel
Mounting
SMD
Technology
Trench
Цена по запросу
(от 14,87 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseSOT23
Type1PCSPChannel
MountingSMD
TechnologyTrench
Вес, г0.03
Gate charge15nC
ManufacturerMICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Polarisationunipolar
Корпусsot23
Drain current-4.2A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power dissipation1.4W
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±8V
On-state resistance80mΩ
Drain-source voltage-20V
Power Dissipation (Pd)1.4W
Особенностиdepletion-mode fet
Total Gate Charge (Qg@Vgs)15nC@4.5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)740pF@4V
Continuous Drain Current (Id)4.2A
Пороговое напряжение на затворе900mV@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)60mΩ@2.7A, 4.5V

Техническая документация