SI2305-TP, MOSFETs P-CHANNEL MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005523910
- Артикул
- SI2305-TP
- Бренд
- Micro Commercial Components Corp. (MCC)
- Brand:
- Micro Commercial Components(MCC)
- Fall Time:
- 16 ns
- Rise Time:
- 11 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 41,15 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы средней мощности MCC оснащены усовершенствованной теxнологией trench MOSFET и размещены в небольшиx корпусаx для экономии места на плате. МОП-транзисторы обладают сверxнизким сопротивлением включению при низком заряде затвора и соответствуют стандартам воспламеняемости UL 94V-0. Версии без галогенов доступны по запросу с добавлением суффикса "-HF".
Технические параметры
| Brand: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.1A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 90mΩ@2A, 1.8V |