Моя заявка (0)

SI2303CDS-T1-GE3-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 5.6А 2.5Вт [SOT-23-3.]

SI2303CDS-T1-GE3-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 5.6А 2.5Вт [SOT-23-3.]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9001663871
Артикул
SI2303CDS-T1-GE3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.06
Корпус
SOT-23-3
Структура
P-Channel
Особенности
низкопотребляющая портативная электроника
Цена по запросу
(от 7,90 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.06
КорпусSOT-23-3
СтруктураP-Channel
Особенностинизкопотребляющая портативная электроника
Крутизна характеристики, S18
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.054 Ом/3.6А, 4.5В

Техническая документация