SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566032
- Артикул
- SI2303CDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Case
- SOT23
- Brand
- Vishay/Siliconix
- Width
- 1.4mm
Цена по запросу
(от 10,43 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-КАНАЛЬНЫЙ MOSFET, -30 В, ОТ 2,7 А ДО-236, Полярность транзистора: P-канал, Постоянный ток стока Id: -2,7 А, Напряжение источника стока Vds: -30 В, Сопротивление Rds(включено): 0,158 Ом, Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs: -10 В, Пороговое напряжение Vgs:-3 В, соответствует требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Case | SOT23 |
| Brand | Vishay/Siliconix |
| Width | 1.4mm |
| Series | SI2 |
| Mounting | SMD |
| Fall Time | 8 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 11 ns |
| Tradename | TrenchFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.41 |
| Gate charge | 8nC |
| No. of Pins | 3Pins |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Vishay |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | Single |
| Drain current | -2.7A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | SI2303BDS-T1-E3-S |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 4 nC |
| Power dissipation | 1.5W |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.19Ω |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Drain-source voltage | -30V |
| Pulsed drain current | -10A |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Pd - Power Dissipation | 2.3 W |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 30V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2 nC @ 4.5 V, 4 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Continuous Drain Current Id | 2.7A |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2.7 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 2 S |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 190 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.158ohm |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 190 mOhms |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 3V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |