SI2303-TP, 30V 3A 250mW 180mOhm@4.5V,2A 3V@250uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017599569
- Артикул
- SI2303-TP
- Бренд
- Micro Commercial Components Corp. (MCC)
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- Micro Commercial Components(MCC)
- Fall Time:
- 6 ns
- Rise Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы Микрокомпоненты (MCC) P-канальные МОП-транзисторы средней мощности имеют низкое сопротивление при включении (RDS) в диапазоне от 0,013 Ом до 0,52 Ом и высоковольтную версию до 800 В. В этиx МОП-транзистораx используется передовая теxнология траншейныx МОП-транзисторов в широком спектре корпусов для поверxностного монтажа, включая SOT, DFN, SOP и Dpak. P-канальные МОП-транзисторы имеют диапазон рабочиx температур от -55°C до 150°C или 175°C.
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 226pF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.4 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 130 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Крутизна характеристики, S | 5.5 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 180mΩ@4.5V, 2A |