SI2302DDS-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 2,1А, 0,46Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038660441
- Артикул
- SI2302DDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SOT23
- Width
- 1.4mm
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V Vds 8V Vgs SOT-23
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Width | 1.4mm |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Серия | SI2 |
| Gate charge | 3.5nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | sot23 |
| Drain current | 2.1A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 0.46W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 57mΩ |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Drain-source voltage | 20V |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 0.71 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 850mV @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay/Siliconix |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.85V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Qg - заряд затвора | 5.5 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Время нарастания | 7 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 57mО© @ 3.6A,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 710mW |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2.9A(Tj) |
| Pd - рассеивание мощности | 860 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Крутизна характеристики, S | 13 S |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.46 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |