SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 2,1А, 0,46Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017533998
- Артикул
- SI2302CDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.04
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- SI2
- Высота
- 1.45 mm
Цена по запросу
(от 17,60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 2,1А, 0,46Вт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | SI2 |
| Высота | 1.45 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 5.5 nC |
| Время нарастания | 7 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 860 mW |
| Другие названия товара № | SI2302CDS-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 57 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |