SI2302CDS-T1-E3, MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005512573
- Артикул
- SI2302CDS-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- SI2
- Высота
- 1.45 mm
Цена по запросу
(от 48,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 2.6 А, 20 В SOT23
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | SI2 |
| Высота | 1.45 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 3.5 nC |
| Время нарастания | 7 ns |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 710 mW |
| Другие названия товара № | SI2302CDS-E3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.6 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 57 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 850 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |