SI2302CDS-T1-BE3, TO-236-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017686793
- Артикул
- SI2302CDS-T1-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 7 ns
- Rise Time:
- 7 ns
- Вес, г
- 0.05
Цена по запросу
(от 43,10 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI2302CDS-T1-GE3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 3.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 860 mW |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 850 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.1V@250uA |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.55 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |