Моя заявка (0)
SI2302A-TP, MOSFETs N-CHANNEL MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005523909
Артикул
SI2302A-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
Case
SOT23
Type
1PCSNChannel
Mounting
SMD
Technology
Trench
Цена по запросу
(от 58,30 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

20 В 3 А 55mOhm@4.5V,3,6А 1,25 Вт 1.2V@50uA 1шт-канальные МОП-транзисторы SOT-23 ROHS

Технические параметры

CaseSOT23
Type1PCSNChannel
MountingSMD
TechnologyTrench
Вес, г1
Gate charge6nC
Polarisationunipolar
Drain current3A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power dissipation1.25W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.11Ω
Drain-source voltage20V
Pulsed drain current10A
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)1.25W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)10nC@4.5V
Drain Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss@Vds)237pF@10V
Continuous Drain Current (Id)3A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)1.2V@50uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)45pF@10V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@4.5V, 3.6A
Крутизна характеристики, S8
Пороговое напряжение на затворе1.2V@50uA
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±8В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)55mΩ@4.5V, 3.6A

Техническая документация