Моя заявка (0)

SI2302-TP, 20V 3A 1.25W 72mOhm@4.5V,3.6A 1.2V@50uA N Channel SOT-23 MOSFETs

SI2302-TP, 20V 3A 1.25W 72mOhm@4.5V,3.6A 1.2V@50uA N Channel SOT-23 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017594410
Артикул
SI2302-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
Brand:
Micro Commercial Components(MCC)
Series:
N-Ch Polarity
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±8V
Цена по запросу
(от 16,99 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы Микрокомпоненты (MCC) N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малой мощности сигнала имеют низкое сопротивление при включении (RDS) в диапазоне от 0,012 Ом до 8,0 Ом и высоковольтную версию до 800 В. Эти прочные и надежные МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов для поверxностного монтажа, включая SOT, DFN, SOP и Dpak. N-канальные МОП-транзисторы MCC N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малого сигнала имеют диапазон рабочиx температур от -55°C до +150°C или +175°C.

Технические параметры

Brand:Micro Commercial Components(MCC)
Series:N-Ch Polarity
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±8V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Micro Commercial Components(MCC)
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:10 nC
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 50µA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Power Dissipation (Max)1.25W(Ta)
Supplier Device PackageSOT-23
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Id - Continuous Drain Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8.5 S
Rds On - Drain-Source Resistance:110 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds237 pF @ 10 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A(Ta)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:650 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация