SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 3.1А [SOT-23-3]
![SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 3.1А [SOT-23-3]](https://static.epl-electro.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000223386
- Артикул
- SI2301CDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT-23-3
- Структура
- MOSFET
- Крутизна характеристики, S
- 9.5 S
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой SI2301CDS-T1-GE3 от известного производителя VISHAY - это высококачественный компонент, применяемый в современной электронике. N-MOSFET транзистор отличается стабильной работой при токе стока до 3,1 А и напряжении сток-исток до 20 В. Благодаря мощности в 1,6 Вт и миниатюрному корпусу SOT23, этот транзистор идеально подходит для поверхностного монтажа в компактных устройствах. Надежность и долговечность - визитная карточка продукции VISHAY. Артикул SI2301CDST1GE3 гарантирует легкость в поиске и заказе данного компонента для разработчиков и производителей электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3.1 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 1.6 Корпус SOT23
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Структура | MOSFET |
| Крутизна характеристики, S | 9.5 S |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |