SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -1,8А, 1,6Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016016267
- Артикул
- SI2301CDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- Q(g)
- 5.5 nC
- V(DS)
- 20 V
- Width
- 1.4mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой SI2301CDS-T1-GE3 от известного производителя VISHAY - это высококачественный компонент, применяемый в современной электронике. N-MOSFET транзистор отличается стабильной работой при токе стока до 3,1 А и напряжении сток-исток до 20 В. Благодаря мощности в 1,6 Вт и миниатюрному корпусу SOT23, этот транзистор идеально подходит для поверхностного монтажа в компактных устройствах. Надежность и долговечность - визитная карточка продукции VISHAY. Артикул SI2301CDST1GE3 гарантирует легкость в поиске и заказе данного компонента для разработчиков и производителей электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3.1 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 1.6 Корпус SOT23
Технические параметры
| PPAP | No |
| Q(g) | 5.5 nC |
| V(DS) | 20 V |
| Width | 1.4mm |
| P(tot) | 1.6 W |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| EU RoHS | Compliant |
| Package | SOT-23 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 0.05 |
| Logic level | NO |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | sot23 |
| Монтаж | SMD |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 3.1 A |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Ток стока, А | 3.1 |
| Typical Fall Time (ns) | 10 |
| Typical Rise Time (ns) | 35 |
| Мощность, Вт | 1.6 |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 860 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.3 nC @ 2.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 860 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 5.5 4.5V|3.3 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 112 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 75 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 112mО© @ 2.8A,4.5V |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 1.6 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.8 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 1.3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 0.4 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 860mW |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 0.7 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 405 10V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 25 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 112 4.5V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.1A |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 8 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 10 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 0.86 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 55 10V |
| Крутизна характеристики, S | 9.5 S |
| Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 2.3 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 175 |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.6 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |