SI2301CDS-T1-E3, Транзистор MOSFET SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017563700
- Артикул
- SI2301CDS-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- TrenchFETВ® ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 70,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канал 20 В 3,1 А (Tc) 860 МВт (Ta), 1,6 Вт (Tc) для поверxностного монтажа SOT-23-3 (TO-236)
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | TrenchFETВ® -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.04 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | sot23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | SI2301 -> |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 860mW (Ta), 1.6W (Tc) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.112 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.1A (Tc) |
| Крутизна характеристики, S | 9.5 S |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |