SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор, P-MOSFET, 20В, 2.2А, 0.7Вт, 0.1Ом [SOT-23-3.] [EOL]
![SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор, P-MOSFET, 20В, 2.2А, 0.7Вт, 0.1Ом [SOT-23-3.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/558/DOC056558444.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001326903
- Артикул
- SI2301BDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.02
- Корпус
- SOT-23-3
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- низкопотребляющая портативная электроника
Цена по запросу
(от 22,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор P-MOSFET 20В 2.2А 0.7Вт [SOT-23-3.]
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | низкопотребляющая портативная электроника |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |