SI2301BDS-T1-E3, Транзистор P-MOSFET 20В 2.2А 0.7Вт [SOT-23-3.] [EOL]
![SI2301BDS-T1-E3, Транзистор P-MOSFET 20В 2.2А 0.7Вт [SOT-23-3.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000017246
- Артикул
- SI2301BDS-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT-23-3
- Структура
- P-Channel
- Особенности
- низкопотребляющая портативная электроника
Цена по запросу
(от 33 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-КАНАЛЬНЫЙ MOSFET, ПОЛНАЯ КАТУШКА, Полярность транзистора: P-канал, Постоянный ток стока Id: -2,4 А, Напряжение источника стока Vds: -20 В, Сопротивление Rds(включено): 100 Мом, Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs: -4,5 В, Пороговое напряжение Vgs: -950 мВ, соответствует RoHS: Да
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | низкопотребляющая портативная электроника |
| Крутизна характеристики, S | 6.5 |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/2.8А, 4.5В |