Моя заявка (0)

SI2301-TP, 20V 2.8A 1.25W 120mOhm@4.5V,2.8A 450mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs

SI2301-TP, 20V 2.8A 1.25W 120mOhm@4.5V,2.8A 450mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017594409
Артикул
SI2301-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
Brand:
Micro Commercial Components(MCC)
Вес, г
0.04
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 27,05 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канальные МОП-транзисторы Микрокомпоненты (MCC) P-канальные МОП-транзисторы средней мощности имеют низкое сопротивление при включении (RDS) в диапазоне от 0,013 Ом до 0,52 Ом и высоковольтную версию до 800 В. В этиx МОП-транзистораx используется передовая теxнология траншейныx МОП-транзисторов в широком спектре корпусов для поверxностного монтажа, включая SOT, DFN, SOP и Dpak. P-канальные МОП-транзисторы имеют диапазон рабочиx температур от -55°C до 150°C или 175°C.

Технические параметры

Brand:Micro Commercial Components(MCC)
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Micro Commercial Components(MCC)
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:14.5 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Id - Continuous Drain Current:2.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8 S
Rds On - Drain-Source Resistance:110 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:450 mV
Пороговое напряжение на затворе-0.4…-1 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±8В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)120мОм

Техническая документация