Моя заявка (0)

SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3]

SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9000928793
Артикул
SI2300DS-T1-GE3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.01
Корпус
SOT-23-3
Структура
N-Channel
Особенности
TrenchFET
Цена по запросу
(от 17,60 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.01
КорпусSOT-23-3
СтруктураN-Channel
ОсобенностиTrenchFET
Крутизна характеристики, S24
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.028 Ом/5А, 4.5В

Техническая документация