Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026380645
Артикул
SI2300
Бренд
HXY MOSFET
Вес, г
0.04
Корпус
SOT-23
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
350mW
Цена по запросу
(от 2,86 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.04
КорпусSOT-23
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)350mW
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)4.1nC
Input Capacitance (Ciss@Vds)311pF
Continuous Drain Current (Id)6A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)88pF
Крутизна характеристики, S5 S
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)22mΩ@10V, 6.0A