SI1965DH-T1-GE3-VB, SC-70-6 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026380965
- Артикул
- SI1965DH-T1-GE3-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.02
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- -
- Continuous Drain Current (Id)
- 1.8A
Цена по запросу
(от 26,92 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.8A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 155mΩ@4.5V |