N-Channel MOSFET, 370 mA, 60 V SC-70 SI1926DL-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030793591
- Артикул
- SI1926DL-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 14 ns
- Rise Time:
- 12 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 89,50 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные сдвоенные N-канальные МОП-транзисторы Vishay Semiconductor с температурой 175°C имеют два канала, что обеспечивает дополнительную изоляцию между стоком и затвором.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 14 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SC-70 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI1926DL-T1-BE3 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 510 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 370 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 370 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.37 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.51 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |