Моя заявка (0)

SI1922EDH-T1-GE3-VB, 20V null 150mOhm@4.5V N Channel SC70-6 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026381622
Артикул
SI1922EDH-T1-GE3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
1
Корпус
sc70-6
Структура
N-Channel
Особенности
-
Цена по запросу
(от 67 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
Корпусsc70-6
СтруктураN-Channel
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)150мОм