Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030794619
- Артикул
- SI1922EDH-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 1.35mm
- Pin Count
- 6
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Матрица Mosfet 20V 1.3A 1.25 Вт для поверxностного монтажа SC-70-6
Технические параметры
| Width | 1.35mm |
| Pin Count | 6 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 1.25W |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198mOhm @ 1A, 4.5V |
| Особенности | полевая сборка |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.6 nC @ 8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 8V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 263 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.3 A |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |