SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0,9А, 0,27Вт, SC70
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022253324
- Артикул
- SI1902CDL-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SC70
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.03
- Gate charge
- 2nC
Цена по запросу
(от 25,61 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0,9А, 0,27Вт, SC70
Технические параметры
| Case | SC70 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.03 |
| Gate charge | 2nC |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 0.9A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 0.27W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±12V |
| On-state resistance | 0.235Ω |
| Drain-source voltage | 20V |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.27 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |