SI1869DH-T1-E3 2019
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057644548
- Артикул
- SI1869DH-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 0.04
- Switch Type
- Load Switch
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 179 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Микросхема SI1869DH-T1-E3 — изделие серии SI186. Характеристики Обозначение: SI1869DH-T1-E3 Масса: 2 г Год выпуска: 2019 Производитель: Vishay Единица измерения: шт
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 0.04 |
| Switch Type | Load Switch |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Input Voltage | 1.8V~20V |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Output Current | 1.2A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI1869DH-T1-BE3 SI1869DH-E3 |
| Number of Outputs | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Resistor On-State | 132mΩ |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 165 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.132 Ом |