Моя заявка (0)

Si1553CDL-T1-GE3-VB, 20V 1V@100uA 1PCSN-Channel& 1PCSP-Channel -55-~+150-@(Tj) SC-70-6 MOSFETs ROHS

Si1553CDL-T1-GE3-VB, 20V 1V@100uA 1PCSN-Channel& 1PCSP-Channel -55-~+150-@(Tj) SC-70-6 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015925562
Артикул
Si1553CDL-T1-GE3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.05
Структура
N-Channel
Особенности
-
Пороговое напряжение на затворе
1V@100uA
Цена по запросу
(от 39 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.05
СтруктураN-Channel
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе1V@100uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.34
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)90mΩ@4.5V, 2.55A;155mΩ@4.5V, 1.85A