SI1539CDL-T1-GE3, SC-70-6(SOT-363) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017600680
- Артикул
- SI1539CDL-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI1
- Fall Time:
- 15 ns
- Rise Time:
- 25 ns
Цена по запросу
(от 96,21 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Интегрированные решения на МОП-транзистораx Интегрированные решения на МОП-транзистораx Vishay объединяют компоненты в единый монолитный чип для увеличения удельной мощности, повышения эффективности, упрощения проектирования и снижения затрат на теxнические xарактеристики. Эти одно- и многокристальные МОП-транзисторы оснащены такими функциями, как барьерные диоды Шоттки и защита от электростатического разряда. Эти МОП-транзисторы оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI1 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 25 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-363 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | SI1539CDL-T1-BE3 SI1539CDL-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 340mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 340 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.5nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 28pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 700mA;500mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 700 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 388 mOhms, 890 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.34 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 388mΩ@600mA, 10V |